Few-layer molybdenum disulfide (MoS₂) is considered to be one of the most attractive materials for next-generation nanoelectronics. This is due to its silicon-level charge mobility and high current on/off ratio in thin-film transistors. Compared to monolayer  MoS_{2 (}which needs a deposition of an additional high-k dielectric layer such as HfO₂), few-layer MoS₂ can be operated on its own. This makes it more appealing for fabricating transistors and other optoelectronic devices.

General Information

CAS number	1317-33-5
Chemical formula	MoS2
Molecular weight	160.07 g/mol
Bandgap	1.23 eV
Synonyms	Molybdenum sulfide, Molybdenum disulphide. Molybdenum (IV) sulfide
Classification / Family	Transition metal dichalcogenides (TMDCs), 2D Semiconductor Materials, Nano-electronics, Nano-photonics, Materials science

Product Details

Substrate	SiO2/Si	Sapphire
Product code	M2167F11	M2168F11
Size	1 cm × 1 cm*	1 cm × 1 cm*
Growth Method	CVD synthesis	CVD synthesis
Appearance	Transparent	Transparent
Purity	> 99%	> 99%
Transparency	> 97%	> 97%
Coverage	> 95%	> 95%
Number of Layers	2-5	2-5
Sheet Resistance	n.a.	n.a.
Transfer method	Directly grown	Directly grown
Substrate Thickness	300 nm	250 µm
MSDS

* Other sizes available: 2 cm × 2 cm or 2 inches in diameter, 4 inches in diameter custom-made sizes, please contact us for more details.

High-quality molybdenum disulfide (MoS₂) few-layer films are available on 2 different substrates: SiO₂/Si and sapphire. Different sizes and substrates of few-layer MoS₂ films are also available via custom order. Please contact us for more details.

• Glass (1 cm × 1 cm, 2 cm × 2 cm, 2 inch in diameter, 4 inch in diameter or custom-made sizes)
• Silicon (1 cm × 1 cm, 2 cm × 2 cm, 2 inch in diameter, 4 inch in diameter or custom-made sizes)
• Quartz (1 cm × 1 cm, 2 cm × 2 cm, 2 inch in diameter, 4 inch in diameter or custom-made sizes)
• Copper (1 cm × 1 cm, 2 cm × 2 cm, 2 inch in diameter, 4 inch in diameter or custom-made sizes)

Applications

Molybdenum disulfide (MoS₂) few-layer film, with an impressive direct band gap of 1.9 eV in the monolayer regime, has promising potential applications in nanoelectronics, optoelectronics, and flexible devices. MoS₂ few-layer films can also be made into heterostructures for energy conversation and storage devices, and used as a catalyst for hydrogen revolution reactions (HER).

Synthesis

High quality molybdenum disulfide (MoS₂) few-layer films were grown directly on the substrates (SiO₂/Si and Sapphire) by chemical vapour deposition (CVD) method. The films were later transferred to the desired substrates using wet chemical transfer process.

Usage

MoS₂ few-layer film can be used in research purposes such as microscopic analysis, photoluminescence and Raman spectroscopy studies. Few-layer MoS₂ film can also be transferred to other substrates.

Pricing

Substrate	Product code	Size	Quantity (EA)	Price
SiO2/Si	M2167F11	1 cm × 1 cm	1	£318.00
Sapphire	M2168F11	1 cm × 1 cm	1	£318.00

Literature and Reviews

1. Tunable Charge-Trap Memory Based on Few-Layer MoS2, E. Zhang et al., ACS Nano, 9 (1), 612–619 (2015); DIO: 10.1021/nn5059419.
2. Few-Layer MoS2: A Promising Layered Semiconductor, R. Ganatra et al., ACS Nano, 8 (5), 4074–4099 (2014); DOI: 10.1021/nn405938z.
3. Few-Layer MoS2 with High Broadband Photogain and Fast Optical Switching for Use in Harsh Environments, D. Tsai et al., ACS Nano, 7 (5), 3905–3911 (2013); DOI: 10.1021/nn305301b.
4. Optical Identification of Single- and Few-Layer MoS2 Sheets, H. Li et al., small, 8 (5), 682–686 (2012); DOI: 10.1002/smll.201101958.
5. Few-Layer MoS 2 Flakes as Active Buffer Layer for Stable Perovskite Solar Cells, A. Capasso et al., Adv. Energy Mater. 2016, 6, 1600920 (2016); DOI: 10.1002/aenm.201600920.

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